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网站后台 清理缓存,公司vi包括什么,鄂尔多斯市东胜区城市建设局网站,携程网站建设计划管理与进度控制在设计放大器的第一步就是确定好晶体管参数和直流工作点的选取。通过阅读文献#xff0c;我了解到L波段低噪声放大器的mos器件最优宽度计算公式为 W o p t . p 3 2 1 ω L C o x R s Q s p W_{opt.p}\frac{3}{2}\frac{1}{\omega LC_{ox}R_{s}Q_{sp}} Wopt.p​23​ωLCox​Rs…在设计放大器的第一步就是确定好晶体管参数和直流工作点的选取。通过阅读文献我了解到L波段低噪声放大器的mos器件最优宽度计算公式为 W o p t . p 3 2 1 ω L C o x R s Q s p W_{opt.p}\frac{3}{2}\frac{1}{\omega LC_{ox}R_{s}Q_{sp}} Wopt.p​23​ωLCox​Rs​Qsp​1​根据设计指标我们得知L波段的中心频率为1.3GHz取 ω 0 1.3 G H z , R s 50 Ω , γ 2 , δ 4 , α 1 , V d d 1.2 V , L 0.13 u m , E s a t 4 × 1 0 6 V / m \omega_{0}1.3\mathrm{GHz},R_{s}50\Omega,\gamma2,\delta4,\quad\alpha1,\quad V_{dd}1.2\mathrm{V},\quad L0.13\mathrm{um},\quad Esat4\times10^{6}\mathrm{V/m} ω0​1.3GHz,Rs​50Ω,γ2,δ4,α1,Vdd​1.2V,L0.13um,Esat4×106V/m进而我们可以得到最优品质因子Qsp为4那么我们还剩下单位面积栅氧化层电容Cox是未知量下面我介绍两种求解得到Cox的方法 方法一寻找 以tsmcN65工艺库为例找到工艺库对应的参数文件其路径为 打开后先搜索对应的晶体管这里我使用到的晶体管是nmos_rf可以看到在这个工艺库模型文件中其定义说明了晶体管的nrlrwr的范围并说明了其额定工作电压为1v。 然后搜索相对真空介电常数epsrox其值为3.9这是表示SiO₂ 的介电常数 然后搜索等效栅氧化层厚度toxe其值为2E-9 载流子迁移率u0其值为0.02232 然后根据单位面积栅氧化层电容公式 C o x ϵ o x t o x C_{ox}\frac{\epsilon_{ox}}{t_{ox}} Cox​tox​ϵox​​其中 ϵ o x \epsilon_{ox} ϵox​是 SiO₂ 的介电常数通常取值 ϵ o x 3.9 × ϵ 0 3.9 × 8.854 × 1 0 − 12 F / m ≈ 3.45 × 1 0 − 11 F / m \epsilon_{ox}3.9\times\epsilon_03.9\times8.854\times10^{-12}\mathrm{F/m}\approx3.45\times10^{-11}\mathrm{F/m} ϵox​3.9×ϵ0​3.9×8.854×10−12F/m≈3.45×10−11F/mtox是氧化层厚度取决于 CMOS 工艺节点。例如 ∙ t o x ≈ 2 n m 2 × 1 0 − 9 m ( 65 n m 工艺 ) \bullet\quad t_{ox}\approx2\mathrm{nm}2\times10^{-9}\mathrm{m}(65\mathrm{nm}\text{工艺}) ∙tox​≈2nm2×10−9m(65nm工艺) ∙ t o x ≈ 1.5 n m 1.5 × 1 0 − 9 m ( 45 n m 工艺 ) \bullet\quad t_{ox}\approx1.5\mathrm{nm}1.5\times10^{-9}\mathrm{m}(45\mathrm{nm}\text{工艺}) ∙tox​≈1.5nm1.5×10−9m(45nm工艺) ∙ t o x ≈ 1.2 n m 1.2 × 1 0 − 9 m ( 32 n m 工艺 ) \bullet\quad t_{ox}\approx1.2\mathrm{nm}1.2\times10^{-9}\mathrm{m}(32\mathrm{nm}\text{工艺}) ∙tox​≈1.2nm1.2×10−9m(32nm工艺)最终可得 C o x 3.45 × 1 0 − 11 2.5 × 1 0 − 9 1.38 × 1 0 − 2 F / m 2 C_{ox}\frac{3.45\times10^{-11}}{2.5\times10^{-9}}1.38\times10^{-2}\mathrm{F/m}^{2} Cox​2.5×10−93.45×10−11​1.38×10−2F/m2 方法二ADE打印 首先搭建好晶体管的仿真电路图 然后进行dc直流仿真 运行仿真后点击Tools-Results Browser 在左侧栏的model文件夹下找到对应的晶体管然后就可以找到对应的模型参数了
http://www.hkea.cn/news/14538239/

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