网站开发合同付款比例,wordpress logo 尺寸,茶叶网站建设策划书,顾村网站建设这篇文件是一篇关于氮化镓#xff08;GaN#xff09;中质子反冲离子的线性能量转移#xff08;LET#xff09;和射程特性的研究论文#xff0c;发表在《IEEE Transactions on Nuclear Science》2021年5月的期刊上。论文的主要内容包括#xff1a; 研究背景#xff1a;氮…这篇文件是一篇关于氮化镓GaN中质子反冲离子的线性能量转移LET和射程特性的研究论文发表在《IEEE Transactions on Nuclear Science》2021年5月的期刊上。论文的主要内容包括 研究背景氮化镓GaN高电子迁移率晶体管HEMTs在航天电子领域受到越来越多的关注。虽然GaN在电子迁移率和热导率方面优于硅Si和砷化镓GaAs但其辐射硬度radiation hardness需要进一步研究以确保在空间环境中的可靠性。 研究目的通过分析GaN中质子反冲重离子的LET和射程建立对GaN设备辐射耐受性的理解并将这些知识应用于新兴技术。 实验方法 使用SRIMStopping and Range of Ions in Matter代码计算由质子辐照GaN产生的每种离子的LET。利用MCNPXMonte Carlo N-Particle Transport X和Los Alamos High Energy Transport Codes进行模拟研究质子与GaN和Si目标相互作用产生的离子分布。 研究结果 在GaN中质子辐照产生的最高原子序数的离子是锗Z32而在Si中是磷Z15。GaN中的高LET离子种类和数量与Si有显著差异特别是在高能质子辐照下。质子辐照GaN产生的高LET离子的最大值可达27.5 MeV-cm2/mg而Si中的最高值为16 MeV-cm2/mg。 结论 GaN和Si在质子辐照下的LET和射程特性有显著差异不能简单地将Si的技术模型应用于GaN。辐射测试方法和要求可能需要针对GaN设备进行调整以适应质子辐照下产生的不同种类和数量的离子。对于空间应用低能质子辐照下的GaN可能不需要特别调整但在高能质子辐照下GaN设备可能会经历更高的LET离子需要特别注意。
这篇论文对于理解和改进GaN设备在辐射环境下的性能具有重要意义特别是在航天和高能粒子辐照环境中。
