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现今针对便携式移动平台的电源管理芯片仍以传统分离型 PMIC为主。 根据后端设计的特点#xff0c;传统分离型 PMIC 又可分三大类。
控制芯片与开关 MOSFET 分离型#xff0c;MOSFET 外置于PCB上#xff0c;芯片仅提供智能控制功能。 此类IC…PMIC 后端研究现状
现今针对便携式移动平台的电源管理芯片仍以传统分离型 PMIC为主。 根据后端设计的特点传统分离型 PMIC 又可分三大类。
控制芯片与开关 MOSFET 分离型MOSFET 外置于PCB上芯片仅提供智能控制功能。 此类IC技术难度不大前后端设计都非常成熟。 在后端设计中由于不涉及到大电流、强噪声版图部分按传统方式绘制即可需注意电流镜、差分对、需匹配的电阻电容等器件以及对整体匹配要求严格的注入ADC等模块电源线、地线的抗串扰分布、以及数字与模拟部分的隔离等在封装也较少考虑效率及发热等问题。将分离的控制芯片和开关 MOSFET 做MCMMulti-chip Module封装在应用场合体现为一颗集成开关 MOSFET 的独立芯片对用户来讲属于“即插即用”型设计. 此类型出现较晚2008年左右.较第一种类型其在性能上有不小提高。 由于芯片和 MOSFET仍然是分开的其前、后端开发过程与第一种完全外置 MOSFET 型芯片并无太大不同封装形式是其主要区别。 此类芯片在后端设计中特别注意了 MCM 封装对版图的要求如芯片外形、绑线PAD 开口位置、引线长度和数量等。 图1
将控制部分与开关 MOSFET用同样的工艺和加工步骤完全集成在一起。 在小于30瓦的应用中这类芯片较之前两类芯片更具有优势。 此类型芯片出现最晚对应用客户而言与第二种类型的芯片并无太大区别但其提供电流能力逊于采用独立 MOSFET 的MCM 封装类型芯片。 其在前、后端设计上都有很高要求特别是在后端由于开关 MOSFET 的集成出现的大电流、强噪声、高发热等副作用使控制部分电路工作环境异常恶劣。一个好的后端设计可以最大限度减弱集成 MOSFET 带来的坏处给控制部分电路设计留更大余量得以提高产品性能。各大芯片设计公司在版图上采用了一些新技术譬如针对 MOSFET 的浮空隔离环技术Floating Guard Ring、RDL 技术如图2所示;另外封装上采用fcQFN方式见图3;CSP 技术见图4。 图2 图3 图4 NOVATEK在多通道PMIC技术上的功耗及温控上有很大优势并且在Q4还会推出新款10V的PMIC。 问题 传统分离型 PMIC 分为哪几类 控制芯片与开关 MOSFET 分离型、MCMMulti-chip Module封装型和多通道型PMIC。 多通道PMIC常见封装形式有几种 分别是什么 3种。分别是RDL、fcQFN、CSP封装。
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