网站开发公司有资质吗,宁波产城生态建设集团网站,帝国cms调用网站名称,百度问答兼职怎么做一、drop电压 LDO如果两个管子流过相同的电流, 假设将管子饱和并顶到接近线性区 NMOS的效率(VIN-VDSAT-VGS)/VIN PMOS的效率#xff1d;#xff08;VIN-VDSAT)/VIN
根本原因是 nmos的gate电压比source高vth 如果输出电压(source#xff09;较高或者驱动电流要大#xff0c…一、drop电压 LDO如果两个管子流过相同的电流, 假设将管子饱和并顶到接近线性区 NMOS的效率(VIN-VDSAT-VGS)/VIN PMOS的效率VIN-VDSAT)/VIN
根本原因是 nmos的gate电压比source高vth 如果输出电压(source较高或者驱动电流要大就要把gate电压抬高超过vdd 而pmos的source是vdd不存在这个问题 在dc-dc应用中可以使用一个同步的charge-pump把nmos的gate电压抬高到vddvgs或者更高,在ldo中这样实现就不现实所以LDO都是用pmos
LDO中用PMOS可以获得更低的dropout从而提高效率。 用NMOS Souce的输出电压要比Gate至少低Vth而不用辅助电路的话gate电压最高为vdd因此输出电压最多为vdd-vth。
假设VDD为3.3V, vout为2.5V采用nmos即使gate端最大为2.97vth假设为0.7vout为2.27Vdrop电压很大效率低不能实现2.5V的输出 二、PSRR 功率管为nmos的pssr性能优与pmos为功率管。
三、如何确定功率管尺寸 一般提到dropout都是有对应的负载条件的而关于dropout的定义也有很多常见的是取正常输出电压-0.1V所对应的Vin减去此时的输出也有取输出的90%的就是处在dropout区。 power管的尺寸主要就是受dropout限制想初步确定power管的尺寸就让pmos针对power管为pmos的情况的gate接地source端给最小工作电压drain端给个电流负载前面提到的对应条件改变pmos尺寸使其vds等于你想要的dropout即可。当然最后还是要放在环路中整体仿真确定。
