中国城市建设官方网站,学产品设计专业后悔了,腾讯微信公众号,免费做app的网站哪个好目录 VLSI超大规模集成电路设计复习引论MOS原理延时组合逻辑时序电路SRAM 总结#xff08;一张纸#xff09;参考资料 VLSI超大规模集成电路设计复习
复习可参照官网PPT上的知识点#xff0c;然后根据知识点对应的去看书上的讲解。
引论 摩尔定律 尺寸缩小定律 N、P型半… 目录 VLSI超大规模集成电路设计复习引论MOS原理延时组合逻辑时序电路SRAM 总结一张纸参考资料 VLSI超大规模集成电路设计复习
复习可参照官网PPT上的知识点然后根据知识点对应的去看书上的讲解。
引论 摩尔定律 尺寸缩小定律 N、P型半导体 阱 PMOS、NMOS 传输管 静态逻辑传输门 全复原门 德摩根定律 NMOS传输特性强0弱1 PN结 6层掩膜阱、多晶硅、n扩散、p扩散、接触、金属 版图和棒图 常见逻辑门结构反相器、与非门、或非门、三态门 复合门设计互补导通
MOS原理
mos管工作区域 I-V特性公式 静态CMOS反相器的直流特性 β比例效应偏斜反相器高偏斜、低偏斜 噪声容限 传输管直流特性阈值损失
延时 RC延时模型 等效RC电路栅电容、扩散电容 Elmore延时 线性延时模型逻辑努力、电气努力、寄生延时 多级网络延时 组合逻辑 推气泡法 外层输入、内层输入 不对称门 偏斜门 最佳P\N比 有比逻辑门 伪NMOS 动态电路 足管 单调性 多米诺电路 双轨多米诺 电荷泄露保持器 电荷共享辅助预充晶体管
时序电路
时序控制方法触发器、两相位透明锁存器、脉冲锁存器 时序符号 Tc时钟周期tpw脉冲宽度tnonoverlap相位间隔 最大延时约束最小延时约束时间借用时钟偏斜 锁存器设计 触发器设计
SRAM
存储阵列分类 存储阵列结构 6管SRAM结构、尺寸要求 SRAM读、写过程
总结一张纸 参考资料
[1] 数字电路延时公式 [2] CMOS超大规模集成电路设计(第四版) [3] 官网PPT [] []
