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晶体管输出型光耦的性能，取决于其输入参数、输出参数和传输特性，传输特性决定着其电性能传送能力和特点。其中最重要的参数为电流传输比(Current transfer ratio)CTR，设计电路时，除了考虑CTR的选型值，往往还需要关注更多其它相关因素的影响。
CTR值的定义为：(IC/IF)*100%,IC是输出侧的晶体管集电极电流，IF是输入侧的正向电流。所以，当单位为%时，CTR值被描述成几十到几千的数值。
例如：
当我们选定的光耦CTR值等级是100~600%时，可以认为，这个等级光耦的在输入和输出之间，电流的增益或电流的放大倍数在1.0~6.0倍之间。假设输入电流IF=5mA时，
CTR=(IC/IF)*100;
IC=CTR*IF/100;
代入设定参数：
ICmin=100*5/100=5(mA);
ICmax=600*5/100=30(mA);
理论上同一等级的产品，CTR测定输出电流IC值应为5~30mA。
同一个批次，不同单体的CTR值是有差异的，因此，我们选定某个等级的CTR值是一个区间值；设计电路时，需要考虑到不同批次和相同批次产品的CTR最大值和最小值，都应能满足电路工作条件。这种设计类似于三极晶体管（BJT）的应用。
很多设计人员可能会忽略一点，CTR值的测定，是有其特定条件的。
我们常用的KL817为例，是一颗常见的型号，绝大多数厂商，均默认其基本测试条件为Ta=25℃,IF=5mA,Vce=5V；如上图中设定的恒流源、恒压源电路等进行测试。针对不同产品电流设计，其标定CTR的测试条件也不一样。
Vce和IF，对应的CTR标准值曲线图。设定IF=1mA时，CTR约为IF=5mA时的一半。电路设计时，我们实际的Vce也往往不是5V或10V，更多的是0.1V~0.2V。因此，电路应用，经常需要进行实测和计算。
上图体现出负载电流不同对Vce的参考曲线。这就要求我们设计电路时，把电路在输出侧的等效负载，计算在整个输出侧。设计的目标Vce值，也是随设计需求待定的。
此外，CTR、IF、IC等参数，均受到温度等环境因素影响。充分考虑设计冗余量，选用正确的CTR参考等级，同时，将参数设计在中心值附近是比较稳妥的办法。