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PMIC 后端研究现状：

现今针对便携式移动平台的电源管理芯片仍以传统分离型 PMIC为主。 根据后端设计的特点，传统分离型 PMIC 又可分三大类。

• 控制芯片与开关 MOSFET 分离型，MOSFET 外置于PCB上，芯片仅提供智能控制功能。 此类IC技术难度不大，前后端设计都非常成熟。 在后端设计中，由于不涉及到大电流、强噪声，版图部分按传统方式绘制即可，需注意电流镜、差分对、需匹配的电阻电容等器件，以及对整体匹配要求严格的注入ADC等模块，电源线、地线的抗串扰分布、以及数字与模拟部分的隔离等，在封装也较少考虑效率及发热等问题。
• 将分离的控制芯片和开关 MOSFET 做MCM（Multi-chip Module）封装，在应用场合体现为一颗集成开关 MOSFET 的独立芯片，对用户来讲属于“即插即用”型设计. 此类型出现较晚（2008年左右）.较第一种类型其在性能上有不小提高。 由于芯片和 MOSFET仍然是分开的，其前、后端开发过程与第一种完全外置 MOSFET 型芯片并无太大不同，封装形式是其主要区别。 此类芯片在后端设计中，特别注意了 MCM 封装对版图的要求，如芯片外形、绑线PAD 开口位置、引线长度和数量等。

              图1

• 将控制部分与开关 MOSFET用同样的工艺和加工步骤，完全集成在一起。 在小于30瓦的应用中，这类芯片较之前两类芯片更具有优势。 此类型芯片出现最晚，对应用客户而言与第二种类型的芯片并无太大区别，但其提供电流能力逊于采用独立 MOSFET 的MCM 封装类型芯片。 其在前、后端设计上都有很高要求，特别是在后端，由于开关 MOSFET 的集成，出现的大电流、强噪声、高发热等副作用使控制部分电路工作环境异常恶劣。
• 一个好的后端设计，可以最大限度减弱集成 MOSFET 带来的坏处，给控制部分电路设计留更大余量，得以提高产品性能。
• 各大芯片设计公司在版图上采用了一些新技术，譬如针对 MOSFET 的浮空隔离环技术（Floating Guard Ring）、RDL 技术，如图2所示;
• 另外封装上采用fcQFN方式，见图3;
• CSP 技术，见图4。

                         图2                                              图3                                             图4

•  NOVATEK在多通道PMIC技术上的功耗及温控上有很大优势，并且在Q4还会推出新款10V的PMIC。

  问题：

  • 传统分离型 PMIC 分为哪几类？

       控制芯片与开关 MOSFET 分离型、MCM（Multi-chip Module）封装型和多通道型PMIC。

  • 多通道PMIC常见封装形式有几种？ 分别是什么？

       3种。分别是RDL、fcQFN、CSP封装。

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