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美国内存巨头美光正准备从 2025 年开始在其位于日本广岛的晶圆厂生产最先进的“1γ”DRAM。同时，公司计划在同一晶圆厂生产高带宽存储器（HBM），以满足对生成式人工智能应用日益增长的需求。

据《日经亚洲》12月13日报道，美光存储器日本副总裁Joshua Lee在SEMICON Japan 2023活动期间宣布了这一消息。Lee强调，广岛晶圆厂计划到2025年生产采用最先进的“1γ”工艺的DRAM工艺。他还指出，美光也将成为第一家将极紫外（EUV）光刻设备引入日本的半导体公司。

除此之外，Lee 还分享了美光在广岛晶圆厂生产 HBM 的意图，HBM 广泛用于生成式 AI 应用。他表示，日本强大的半导体生态系统将成为美光进步的关键驱动力。此外，他强调，合作对于日本确立其作为半导体供应链的全球领导者至关重要。

10月初，日本经济产业省（METI）宣布为美光广岛晶圆厂提供1920亿日元的巨额补贴。美光最近宣布了未来几年在日本投资5000亿日元的综合投资计划，其中包括广岛晶圆厂。

美光一直在日本和台湾积极发展其DRAM制造业务。美光台湾公司副总裁卢东辉在9月接受UDN新闻采访时透露，美光约65%的DRAM产量来自台湾。关于向1β制程的迁移，去年美光日本开始量产，美光台湾今年也开始量产。至于更先进的1γ工艺，预计到2025年将在台湾和日本进行生产。

TrendForce分析也显示，美光正在利用其1β纳米技术生产HBM3e，以期获得与韩国供应商相比的竞争优势。其前端制造战略性地定位于日本，与1β纳米产能的扩张计划保持一致。

此外，美光还在台湾建立了后端工厂，以满足人工智能时代推动的 HBM 需求激增。TrendForce集邦咨询预计，2024年HBM产品将大幅提升DRAM供应商的收入。

扩展阅读：三家内存原厂争抢英伟达高端GPU HBM市场

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