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LDO和DC-DC的区别

LDO外围器件少，电路简单，成本低；DC-DC外围器件多，电路复杂，成本高；

LDO负载响应快，输出纹波小；DC-DC负载响应比LDO慢，输出纹波大；

LDO效率低，输入输出压差不能太大；DC-DC效率高，输入电压范围宽泛；

LDO只能降压；DC-DC支持降压和升压；

LDO和DC-DC的静态电流都小，根据具体的芯片来看；

LDO输出电流有限，最高可能就几A，且达到最高输出和输入输出电压都有关系；DC-DC输出电流高，功率大；

LDO噪声小；DC-DC开关噪声大，为了提高开关DC-DC的精度，很多应用会在DC-DC后端接LDO；

LDO分为可调和固定型；DC-DC一般都是可调型，通过FB反馈电阻调节；

关于DC-DC后面接LDO：LDO有一个参数，电源纹波抑制比PSRR，这个参数越大越好，代表抑制输入纹波噪声的抑制能力越强，一般SPEC给出的是1KHz下的值，如：68dB@F=1KHz，LDO的最大的优点之一是它们能够衰减开关模式电源产生的电压纹波，所以一般在100K到1MHz之间的PSRR非常重要，这也是为什么我们经常看见DC-DC后面搭配一个LDO使用，敏感的模拟电源AVDD上，如ADC，Camera等，选择高PSRR的LDO。

了解了LDO和DC-DC的区别之后，能很好的进行选择，比如：输入输出压差大，选择DC-DC；降压型且输入输出压差小，选择LDO；需要很大的输出电流选择DC-DC，升压只能选择DC-DC等。

DC-DC的主要指标

① 静态指标输出电压精度：测量模块的实际输出电压与标称输出电压之间的差。

② 效率：在实现电源模块的电压转换和功率传输的同时，它还测量其自身的损耗。

③ 电压调整率（源效应）：测量模块在不同输入电压下的输出电压变化。

④ 温度漂移：当模块的环境温度不同时，测量输出电压的变化。

⑤ 电流调整率（负载效应）：输出电流不同时测量模块的输出电压变化状态。

⑥ 交叉调节率：仅针对 2 个电路或多个模块， 测量模块某个电路的输出功率变化对其他电路的输出电压的影响。

⑦ 输出电压波动：测量模块输出 DC 电压上 AC 电压分量的大小。

⑧ 动态指标启动超调和启动时间：测量电源模块打开时输出电压的建立过程或稳定过程的状态。

⑨ 负载阶跃响应：负载阶跃变化时，模块测量输出电压的变化。主要测：超调或下降的幅度以及恢复时间的长度。

LDO主要指标

① PSRR(电源电压抑制比)：指 LDO 输出对输入纹波噪声的抑制作用。

② Noise(噪声性能)：LDO 自身产生的噪声信号。

③ 效率：LDO 自身消耗的功率约等于压差*电流，因此相同负载电流下，压差越大，LDO 功耗越高，所以压差低一些，有利于提高效率。

④ LDO 低压降：设计电路比如需要 6V 转 5V 时，需要保持 Low Dropout Voltage 参数<1 V。性能突出的LDO 一般压降都很低，Vdropout 可以做到<200mV。

⑤ LDO 动态性能：一些应用场合，负载变化剧烈，除了通过增加输出电容来确保动态性能外，也尽量选用动态性能好的 LDO 芯片。

⑥ LDO 温度性能：不同的封装，其 LDO 芯片的温度性能不一样，先计算功耗 Pd=（Vin-Vout）Iout，其次计算温升，不能因为 LDO 芯片带负载工作时在指定的工作温度范围内烧坏了。

⑦ LDO 静态电流（IQ）：输入端的电流有一部分不流向负载而流入 GND，通常也称为对地电流，是线性稳压器自身的工作耗电。一般电池供电的场合对静态电流会有比较高的要求，一般 LDO 芯片的静态电流的大小与芯片的其他性能成反关系，如低噪声，高电源电压抑制比，动态性能好的 LDO 静态电流都偏大一些。低 IQ 的 LDO 做的好的话，<100nA。